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VISHAY SI1070X-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 30V, 1.2A, SC-89
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
1331-3772736
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SI1070X-T1-GE3
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung:
12 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.082 ohm
Produktpalette:
Trench
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
6 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
1.2 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
SC-89
Drain-Source-Spannung Vds:
30 V
Verlustleistung:
236 mW
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
1.55 V
SVHC:
To Be Advised
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
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,
Transistoren
,
VISHAY
,
SI1070X-T1-GE3
,
3772736
,
377-2736
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Warenzustand:
unbenutzt
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