| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 1331-3772783 Herst.-Nr.: SI7633DP-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027 ohmProduktpalette: TrenchFET Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Bauform - Transistor: PowerPAK SO Dauer-Drainstrom Id: 60 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 20 VVerlustleistung: 104 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI7633DP-T1-GE3, 3772783, 377-2783 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |