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VISHAY SI8425DB-T1-E1 MOSFET, P-KANAL, 20V, 9.3A, MICRO FOOT


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3772793
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI8425DB-T1-E1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • Anzahl der Pins: 4 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Bauform - Transistor: MICRO FOOT
  • Dauer-Drainstrom Id: 9.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 2.7 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900 mV
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI8425DB-T1-E1, 3772793, 377-2793
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