| |
|
| Artikel-Nr.: 1331-3772795 Herst.-Nr.: SI8472DB-T2-E1 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| | |
| Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036 ohmProduktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 4.5 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: MICRO FOOT Drain-Source-Spannung Vds: 20 VVerlustleistung: 1.8 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900 mVSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI8472DB-T2-E1, 3772795, 377-2795 |
| | |
| |