| |
|
| Artikel-Nr.: 1331-3772872 Herst.-Nr.: SQJ963EP-T1_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8 AProduktpalette: TrenchFET Series Anzahl der Pins: 4 Pin(s)Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 VDauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8 ADrain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.067 ohmKanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.067 ohmVerlustleistung, n-Kanal: 27 WVerlustleistung, p-Kanal: 27 WBetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, VISHAY, SQJ963EP-T1_GE3, 3772872, 377-2872 |
| | |
| |