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| Artikel-Nr.: 1331-3801707 Herst.-Nr.: SIHA17N80AEF-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.263 ohmProduktpalette: EF MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 6.5 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-220FP Drain-Source-Spannung Vds: 800 VVerlustleistung: 34 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHA17N80AEF-GE3, 3801707, 380-1707 |
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