| |
|
| Artikel-Nr.: 1331-3879338 Herst.-Nr.: SI2304DDS-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| | |
| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 3.6 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-236 Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 1.1 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2304DDS-T1-GE3, 3879338, 387-9338 |
| | |
| |