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| Artikel-Nr.: 1331-3879357 Herst.-Nr.: SIHK055N60E-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049 ohmProduktpalette: E Series Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 42 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK Drain-Source-Spannung Vds: 600 VVerlustleistung: 236 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHK055N60E-T1-GE3, 3879357, 387-9357 |
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