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INFINEON IMW65R057M1HXKSA1 MOSFET, N-KANAL, 650V, 35A, TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-3889203
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IMW65R057M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057 ohm
  • Produktpalette: CoolSiC Series
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 35 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 133 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IMW65R057M1HXKSA1, 3889203, 388-9203
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