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| Artikel-Nr.: 1331-3912062 Herst.-Nr.: GD50HFX65C1S EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | IGBT-Technologie: Trench-Transistor Transistormontage: Platte IGBT-Konfiguration: Halbbrücke Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 VBauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 75 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CIGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 VVerlustleistung: 205 WSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, STARPOWER, GD50HFX65C1S, 3912062, 391-2062 |
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