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| Artikel-Nr.: 1331-3929235 Herst.-Nr.: SQM120N06-06_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045 ohmProduktpalette: TrenchFET Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauer-Drainstrom Id: 120 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CDrain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 230 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQM120N06-06_GE3, 3929235, 392-9235 |
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