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| Artikel-Nr.: 1331-3929253 Herst.-Nr.: SIHH11N65EF-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.332 ohmProduktpalette: E Series Anzahl der Pins: 5 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: PowerPAK Dauer-Drainstrom Id: 11 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 130 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHH11N65EF-T1-GE3, 3929253, 392-9253 |
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