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INFINEON S80KS5123GABHM020 DRAM, AEC-Q100, 512MB, -40 BIS 125°C


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3935573
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     S80KS5123GABHM020
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
DRAM
Halbleiter
ICs
Speicherbausteine
Versorgungsspannung, nom.: 1.8 V
  • DRAM-Ausführung: HyperRAM
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 3 - 168 Stunden
  • Anzahl der Pins: 24 Pin(s)
  • IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
  • Speicherdichte: 512 Mbit
  • Betriebstemperatur, max.: 125 °C
  • IC-Montage: Oberflächenmontage
  • Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
  • Betriebstemperatur, min.: -40 °C
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • Taktfrequenz, max.: 200 MHz
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: INFINEON, S80KS5123GABHM020, 3935573, 393-5573
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