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DIODES INC. ZXMN10A08DN8TA MOSFET, N-KANAL, 100V, 2.1A, SOIC


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3943970
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     ZXMN10A08DN8TA
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 2.1 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 1.25 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, DIODES INC., ZXMN10A08DN8TA, 3943970, 394-3970
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