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ROHM R6018VNXC7G MOSFET, N-KANAL, 600V, 10A, TO-220FM


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     1331-3957611
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     R6018VNXC7G
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 10a
mosfet
Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 61 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • Rds(on)-Prüfspannung: 15 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 10 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220FM
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, R6018VNXC7G, 3957611, 395-7611
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