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TOSHIBA TK12V60W,LVQ(S MOSFET, N-KANAL, 600V, 11.5A, DFN


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3977646
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TK12V60W,LVQ(S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
toshiba mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 5 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: DFN
  • Dauer-Drainstrom Id: 11.5 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 104 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
  • RoHS konform: Keine Angaben
  • Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK12V60W,LVQ(S, 3977646, 397-7646
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