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| Artikel-Nr.: 1331-3977652 Herst.-Nr.: TK20G60W,RVQ(S EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Drain-Source-Spannung Vds: 600 V Verlustleistung: 165 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 VSVHC: To Be Advised Rds(on)-Prüfspannung: 10 VDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauer-Drainstrom Id: 20 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CRoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK20G60W,RVQ(S, 3977652, 397-7652 |
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