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TOSHIBA TK20G60W,RVQ(S MOSFET, N-KANAL, 600V, 20A, TO-263


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     1331-3977652
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TK20G60W,RVQ(S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Dauer-Drainstrom Id: 20 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 165 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK20G60W,RVQ(S, 3977652, 397-7652
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