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| Artikel-Nr.: 1331-4014710 Herst.-Nr.: SIHK075N60EF-T1GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061 ohmProduktpalette: EF Gen IV Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 33 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK Drain-Source-Spannung Vds: 600 VVerlustleistung: 192 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD-Diode, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, smd diode, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHK075N60EF-T1GE3, 4014710, 401-4710 |
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