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| Artikel-Nr.: 1331-4035790 Herst.-Nr.: TK10J80E,S1E(S EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 10 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-3P Drain-Source-Spannung Vds: 800 VVerlustleistung: 250 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK10J80E,S1E(S, 4035790, 403-5790 |
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