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TOSHIBA TK110E65Z,S1X(S MOSFET, N-KANAL, 650V, 24A, TO-220


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     1331-4035791
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TK110E65Z,S1X(S
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 24 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 190 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: To Be Advised
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK110E65Z,S1X(S, 4035791, 403-5791
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