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ONSEMI NTH4L025N065SC1 SIC-MOSFET, 650V, 99A, TO-247


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-4036813
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTH4L025N065SC1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 4 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 99 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 348 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTH4L025N065SC1, 4036813, 403-6813
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