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| Artikel-Nr.: 1331-4134225 Herst.-Nr.: IPB040N08NF2SATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035 ohmProduktpalette: StronglRFET Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 107 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 80 VVerlustleistung: 150 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8 VSVHC: No SVHC (27-Jun-2018) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPB040N08NF2SATMA1, 4134225, 413-4225 |
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