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ROHM RH6L040BGTB1 MOSFET, N-CH, 60V, 65A, HSMT


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-4158095
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RH6L040BGTB1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: HSMT
  • Dauer-Drainstrom Id: 65 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 59 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Keine Angaben
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RH6L040BGTB1, 4158095, 415-8095
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