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| Artikel-Nr.: 1331-4168906 Herst.-Nr.: XP2N1K2EN1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 2.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 ohmProduktpalette: XP2N1K2E Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 200 mABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-723 Drain-Source-Spannung Vds: 20 VVerlustleistung: 150 mWQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2023) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP2N1K2EN1, 4168906, 416-8906 |
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