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| Artikel-Nr.: 1331-4168945 Herst.-Nr.: XP3N028EN EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028 ohmProduktpalette: XP3N028E Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: SOT-23S Dauer-Drainstrom Id: 5.4 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 1.25 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP3N028EN, 4168945, 416-8945 |
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