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YAGEO XSEMI XP3N028EN MOSFET, N-KANAL, 30V, 5.4A, SOT-23S


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-4168945
Hersteller:
     YAGEO XSEMI
Herst.-Nr.:
     XP3N028EN
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028 ohm
  • Produktpalette: XP3N028E Series
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: SOT-23S
  • Dauer-Drainstrom Id: 5.4 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 1.25 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Keine Angaben
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP3N028EN, 4168945, 416-8945
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