| |
|
| Artikel-Nr.: 1331-4168959 Herst.-Nr.: XP3P7R0EM EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| | |
| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007 ohmProduktpalette: XP3P7R0E Series Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Bauform - Transistor: SOIC Dauer-Drainstrom Id: 15.5 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 2.5 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP3P7R0EM, 4168959, 416-8959 |
| | |
| |