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YAGEO XSEMI XP4N2R1MT MOSFET, N-KANAL, 40V, 170A, PMPAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     1331-4168960
Hersteller:
     YAGEO XSEMI
Herst.-Nr.:
     XP4N2R1MT
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021 ohm
  • Produktpalette: XP4N2R1 Series
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: PMPAK
  • Dauer-Drainstrom Id: 170 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 5 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP4N2R1MT, 4168960, 416-8960
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