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| Artikel-Nr.: 1331-4168961 Herst.-Nr.: XP4N2R5MT EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Rds(on)-Prüfspannung: 10 VDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255 ohmProduktpalette: XP4N2R5 Series Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 125 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PMPAK Drain-Source-Spannung Vds: 40 VVerlustleistung: 5 WQualifikation: - RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP4N2R5MT, 4168961, 416-8961 |
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