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| Artikel-Nr.: 1331-4168966 Herst.-Nr.: XP9565GEM EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038 ohmProduktpalette: XP9565 Series Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Bauform - Transistor: SOIC Dauer-Drainstrom Id: 6.5 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 40 VVerlustleistung: 2.5 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP9565GEM, 4168966, 416-8966 |
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