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YAGEO XSEMI XP60SL115DR MOSFET, N-KANAL, 600V, 28A, TO-262


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-4169003
Hersteller:
     YAGEO XSEMI
Herst.-Nr.:
     XP60SL115DR
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115 ohm
  • Produktpalette: XP60SL115D Series
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 28 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-262
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 2 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP60SL115DR, 4169003, 416-9003
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