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| Artikel-Nr.: 1331-4172998 Herst.-Nr.: TK110N65Z,S1F(S EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 24 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 190 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK110N65Z,S1F(S, 4172998, 417-2998 |
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