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| Artikel-Nr.: 1331-4173005 Herst.-Nr.: TK12A60W,S4VX(M EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 11.5 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-220SIS Drain-Source-Spannung Vds: 600 VVerlustleistung: 35 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK12A60W,S4VX(M, 4173005, 417-3005 |
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