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| Artikel-Nr.: 1331-4173017 Herst.-Nr.: TK14G65W5,RQ(S EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 13.7 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: D2PAK Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 130 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2023) RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK14G65W5,RQ(S, 4173017, 417-3017 |
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