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| Artikel-Nr.: 1331-4173066 Herst.-Nr.: TK2P90E,RQ(S EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 2 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 900 VVerlustleistung: 80 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 2a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK2P90E,RQ(S, 4173066, 417-3066 |
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