| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 1331-4173094 Herst.-Nr.: TK3P80E,RQ(S EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 3 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 800 VVerlustleistung: 80 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet-transistor 3a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK3P80E,RQ(S, 4173094, 417-3094 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |