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| Artikel-Nr.: 1331-4173130 Herst.-Nr.: TK5R3E08QM,S1X(S EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042 ohmProduktpalette: U-MOSX-H Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 126 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 80 VVerlustleistung: 150 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK5R3E08QM,S1X(S, 4173130, 417-3130 |
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