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| Artikel-Nr.: 1331-4173147 Herst.-Nr.: TK6R9P08QM,RQ(S2 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055 ohmProduktpalette: U-MOSX-H Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 83 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 80 VVerlustleistung: 89 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK6R9P08QM,RQ(S2, 4173147, 417-3147 |
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