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TOSHIBA TK7J90E,S1E(S MOSFET, N-KANAL, 900V, 7A, TO-3P


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-4173158
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TK7J90E,S1E(S
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 7 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-3P
  • Drain-Source-Spannung Vds: 900 V
  • Verlustleistung: 200 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK7J90E,S1E(S, 4173158, 417-3158
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