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| Artikel-Nr.: 1331-4173205 Herst.-Nr.: TPH4R606NH,L1Q(M EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038 ohmProduktpalette: U-MOSVIII-H Series Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 85 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOP Advance Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 63 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TPH4R606NH,L1Q(M, 4173205, 417-3205 |
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