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INFINEON IPT014N10N5ATMA1 MOSFET, N-KANAL, 100V, 362A, PG-HSOF-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-4176147
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPT014N10N5ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013 ohm
  • Produktpalette: OptiMOS 5 Series
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 362 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: HSOF
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 375 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8 V
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPT014N10N5ATMA1, 4176147, 417-6147
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