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| Artikel-Nr.: 1331N-2989777 Herst.-Nr.: SEMIX453GB12E4S EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kVKollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8 VBetriebstemperatur, max.: 175 °CSVHC: No SVHC (15-Jun-2015) Transistormontage: Panel Verlustleistung: - IGBT-Konfiguration: Dual IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] Dauer-Kollektorstrom: 683 ABauform - Transistor: SEMiX 3s IGBT-Anschluss: Stud RoHS konform: Keine AngabenHinweis: Detailbild zum Produkt kann vom Original abweichen. |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, SEMIKRON, SEMIX453GB12E4S, 2989777, 298-9777 |
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