ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3

ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 40 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 500 mA · Leistung (max) P(TOT): 830 mW · Montageart: Durchführungsloch · R(DS)(on): 5 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 200 mA · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA · U(GS)(th) max.: 3 V