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Bipolartransistor, NPN, 2 A, 115 V, THT, TO-220, BD239C
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
4503-13S8050
Hersteller:
ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
BD239C
EAN/GTIN:
4099879028105
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungstransistor
Schalttransistor
Transistor
leistungstransistoren 100v
NPN-Leistungstransistor, BD239C, STMicroelectronics Dieser Transistor zeichnet sich durch eine außergewöhnlich hohe Verstärkungsleistung in Verbindung mit einer sehr niedrigen Sättigungsspannung aus. Er ist für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen geeignet.
Weitere Informationen:
Ausführung:
NPN
Gehäuse:
TO-220
max. Temperatur:
150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo:
100 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo:
115 V
min. Temperatur:
-65 °C
Montage:
THT
Nennstrom:
2 A
Sättigungsspannung:
700 mV
Transitfrequenz fTmin:
3 MHz
Verlustleistung VA (AC):
30 W
Kollektorstrom:
2 A
min. Gleichstromverstärkung:
15 mA
Ursprungsland:
CN
Gewicht:
0.002372 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
... >
Halbleiter
>
Leistungshalbleiter
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Bipolar Transistoren
Weitere Suchbegriffe:
leistungstransistor
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schalttransistor npn
,
Halbleiter
,
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,
Aktive Bauelemente
,
Bipolarer Transistor
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