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Bipolartransistor, NPN, 16 A, 100 V, THT, TO-3P, BDV67B


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Produktinformationen
Bipolartransistor, NPN, 16 A, 100 V, THT, TO-3P, BDV67B
Bipolartransistor, NPN, 16 A, 100 V, THT, TO-3P, BDV67B
Artikel-Nr.:
     4503-15S5018
Hersteller:
     COMSET Semiconductors
Herst.-Nr.:
     BDV67B
EAN/GTIN:
     4099879028532
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungstransistor
leistungstransistor
NPN-Leistungstransistor, BDV67B, COMSET Dies ist ein Silizium-Epitaxie-Basistransistor im TO-3PN-Gehäuse. Er ist für Audio-Ausgangsstufen und allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert. Features * Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Weitere Informationen:
Ausführung:
NPN
Gehäuse:
TO-3P
max. Temperatur:
150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo:
120 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo:
100 V
min. Temperatur:
-65 °C
Montage:
THT
Nennstrom:
16 A
Sättigungsspannung:
2 V
Verlustleistung VA (AC):
200 W
Kollektorstrom:
16 A
min. Gleichstromverstärkung:
1000 mA
Ursprungsland:
MY
Gewicht:
0.00654 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, Bipolarer Transistor
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