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Bipolartransistor, PNP, -600 mA, -60 V, THT, TO-39, 2N2905A-T

Menge:

Stück

Produktinformationen

Bipolartransistor, PNP, -600 mA, -60 V, THT, TO-39, 2N2905A-T

Artikel-Nr.:
4503-27S1950

Hersteller:
COMSET Semiconductors

Herst.-Nr.:
2N2905A-T

EAN/GTIN:
4099879030245

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Halbleiter
Semiconductor
Aktive Bauelemente
Schalttransistor

PNP-Transistor, 2N2905A-T, COMSET Der PNP-Transistor 2N2905A-T ist in einem TO-39-Metallgehäuse untergebracht. Er ist für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und Allzweckanwendungen vorgesehen. Features * Einhaltung der RoHS-Richtlinien

Weitere Informationen:


Ausführung:	PNP
Gehäuse:	TO-39
max. Temperatur:	200 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo:	-60 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo:	-60 V
min. Temperatur:	-65 °C
Montage:	THT
Sättigungsspannung:	-1.6 V
Transitfrequenz fTmin:	200 MHz
Verlustleistung VA (AC):	0.6 W
Kollektorstrom:	-600 mA
min. Gleichstromverstärkung:	100 mA
max. Gleichstromverstärkung:	300 mA
Ursprungsland:	CN
Gewicht:	0.000977 kg
SVHC frei:	Ja
RoHS konform:	Ja