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IGBT, 650 V, 60 A, TO-268HVU, Littelfuse IXYT30N65C3H1HV


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Produktinformationen
IGBT, 650 V, 60 A, TO-268HVU, Littelfuse IXYT30N65C3H1HV
IGBT, 650 V, 60 A, TO-268HVU, Littelfuse IXYT30N65C3H1HV
Artikel-Nr.:
     4503-74P0943
Hersteller:
     Littelfuse
Herst.-Nr.:
     IXYT30N65C3H1HV
EAN/GTIN:
     4099891778088
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Germaniumdiode
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
IGBT, IXYT30N65C3H1HV, Littelfuse Extrem lichtdurchlässiger IGBT, optimiert für das Schalten von 20-60kHz mit hoher Leistungsdichte, extrem robust und mit geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Features * Quadratischer RBSOA * Avalanche-tauglich * Kurzschlussfähigkeit * Antiparallel-Schalldiode * Hohe Spannung Anwendungen * Hochfrequenz-Leistungsumrichter * Leistungswechselrichter * USV * Motorantriebe * SMPS * PFC-Schaltungen * Batterieladegeräte * Schweissmaschinen * Lamp ballasts
Weitere Informationen:
Ausführung:
Einfach
Gehäuse:
TO-268HVU
max. Spannung:
650 V
max. Strom:
60 A
max. Temperatur:
175 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
SMD
Sättigungsspannung:
2.7 V
Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ.:
0.41 mJ
Schaltverlust b. Einschalten Eon typ.:
1.5 mJ
Verlustleistung VA (AC):
270 W
Ursprungsland:
KR
Gewicht:
0.005 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente
Die Konditionen im Überblick1
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ab € 5,95*
  
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.