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| Artikel-Nr.:
4503-74P1287 Herst.-Nr.:
DPG60C200QB EAN/GTIN:
4099891781521 |
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| Erholungsdiode, DPG60C200QB, Littelfuse Hochleistungsdiode mit schneller Rückspeisung, sehr geringem Leckstrom und sehr niedrigem Irm-Wert, einer Avalanche-Spannung für zuverlässigen Betrieb und weicher Rückspeisung für geringe EMI/RFI. Features * Planarer passivierter Chip * Sehr kurze Erholungszeit * Verbessertes thermisches Verhalten * Sehr weiches Rückstellverhalten * Niedriger Irm reduziert die Verlustleistung innerhalb der Diode * Niedriger Irm reduziert Einschaltverluste im Kommutierungsschalter * Industriestandard-Gehäuse, kompatibel mit TO-247 * RoHS-konform * Epoxidharz erfüllt UL 94 V-0 Anwendungen * Antiparallel-Diode für Hochfrequenz-Schaltgeräte * Antisaturierungsdiode * Snubber-Diode * Freilaufende Diode * Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) * Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) Weitere Informationen: | | Ausführung: | Schnelle Erholungs-Diode | Bauform: | THT | Durchlassstrom: | 30 A | Gehäuse: | TO-3P | Kapazität: | 42 pF | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | THT | Spannung V RRM (Spitzensperrspannung): | 200 V | Sperrschichttemperatur (max.): | 175 °C | Sperrschichttemperatur (min.): | -55 °C | Ursprungsland: | KR | Gewicht: | 0.006 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schottky-Diode |
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