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| Artikel-Nr.:
4503-74P1414 Herst.-Nr.:
DSEI8-06AS-TRL EAN/GTIN:
4099891782795 |
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| Erholungsdiode, DSEI8-06AS-TRL, Littelfuse Epitaxiediode mit schneller Erholung und weicher Rückwärtserholung für niedrige EMI/RFI, niedrigem Leckstrom und Avalanche-Spannung für zuverlässigen Betrieb. Features * Planarer passivierter Chip * Sehr kurze Erholungszeit * Verbessertes thermisches Verhalten * Sehr niedriger Irm-Wert * Sehr weiches Rückstellverhalten * Niedriger Irm reduziert die Verlustleistung innerhalb der Diode * Niedriger Irm reduziert Einschaltverluste im Kommutierungsschalter * Industriestandard-Kontur * RoHS-konform * Epoxidharz erfüllt UL 94 V-0 Anwendungen * Antiparallel-Diode für Hochfrequenz-Schaltgeräte * Antisaturierungsdiode * Snubber-Diode * Freilaufende Diode * Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) * Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) Weitere Informationen: | | Ausführung: | Fast Recovery Epitaxial Diode | Durchlassstrom: | 8 A | Gehäuse: | TO-263AB | Kapazität: | 5 pF | max. Temperatur: | 125 °C | min. Temperatur: | -40 °C | Montage: | SMD | Spannung V RRM (Spitzensperrspannung): | 600 V | Sperrschichttemperatur (max.): | 150 °C | Sperrschichttemperatur (min.): | -40 °C | Anzahl der Dioden: | 1 | Ursprungsland: | PH | Gewicht: | 0.002 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: diode, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schottky-Diode |
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