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Bipolartransistor, NPN, 35 mA, 2.25 V, SMD, SOT-343, BFP840ESDH6327XTSA1


Menge:  Packungen  
Produktinformationen:
Bipolartransistor, NPN, 35 mA, 2.25 V, SMD, SOT-343, BFP840ESDH6327XTSA1
Bipolartransistor, NPN, 35 mA, 2.25 V, SMD, SOT-343, BFP840ESDH6327XTSA1
Artikel-Nr.:
     4503-88S7121
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BFP840ESDH6327XTSA1
EAN/GTIN:
     4099879031785
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
HF-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Bipolartransistor, BFP840ESDH6327XTSA1, Infineon Technologies Der BFP840ESDH6327XTSA1 ist ein hochleistungsfähiger HBT (Heterojunction Bipolar Transistor), der speziell für 5-6 GHz Wi-Fi-Anwendungen entwickelt wurde. Der Baustein basiert auf einer zuverlässigen SiGe:C-Technologie für hohe Stückzahlen. Features * Hohe Verstärkung * Hoher ESD-Schutz * Geräuscharm * Pb-frei und RoHs-konform Anwendungen * Als Geräuscharm-Verstärker (LNA) in mobilen, tragbaren und festen Verbindungsanwendungen. * Ideal für Niedrige Spannung Anwendungen * Ka-Band-Oszillatoren * Satellitenkommunikationssysteme, Navigationssysteme, Satellitenradio und C-Band LNB
Weitere Informationen:
Ausführung:
NPN
Gehäuse:
SOT-343
max. Temperatur:
150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo:
2.9 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo:
2.25 V
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
SMD
Transitfrequenz fTmin:
80 GHz
Verlustleistung VA (AC):
0.075 W
Kollektorstrom:
35 mA
min. Gleichstromverstärkung:
150 mA
max. Gleichstromverstärkung:
450 mA
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, transistor infineon, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Bipolarer Transistor
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