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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung BCR135 TO-236-3 Anzahl Kanäle 1 N


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     4815E-Q32746
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BCR135
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Digitaltransistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
NPN-Digital-Transistor
Hinweise:
+ Abbildung ähnlich
Weitere Informationen:
Kanäle:
1
Herst.-Abk.:
INF
Typ:
BCR135
Montageart:
Oberflächenmontage
Ausführung:
NPN - vorgespannt
VCE Sättigung (max.):
300 mV
DC Stromverstärkung (hFE):
70
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
5 mA
Widerstand R(1):
10 kΩ
Transitfrequenz f(T):
150 MHz
Kollektor Reststrom I(CES):
100 nA
Widerstand R(2):
47 kΩ
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
50 V
Leistung (max) P(TOT):
200 mW
Verpackungsart:
Tape cut
Collector-Strom I(C):
100 mA
Hersteller:
Infineon Technologies
Gehäuse:
TO-236-3
Produkt-Art:
Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung
Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, transistor infineon, Infineon Technologies, 287-695
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